https://www.yisraelpedia.com/index.php?action=history&feed=atom&title=%D7%92%D7%95%D7%A8%D7%93%D7%95%D7%9F_%D7%98%D7%99%D7%9Cגורדון טיל - היסטוריית גרסאות2026-09-14T01:35:41Zהיסטוריית הגרסאות של הדף הזה בוויקיMediaWiki 1.43.8https://www.yisraelpedia.com/index.php?title=%D7%92%D7%95%D7%A8%D7%93%D7%95%D7%9F_%D7%98%D7%99%D7%9C&diff=931548&oldid=previmported>EWEp: הגהה2026-05-11T03:59:13Z<p>הגהה</p>
<p><b>דף חדש</b></p><div>{{מדען<br />
| תמונה = קובץ:Bell telephone magazine (1922) (14753848794).jpg<br />
| כיתוב = גורדון טיל (עומד משמאל) עם {{קישור שפה|2=Morgan Sparks|3=מורגן ספארקס}} במעבדות בל ב-1953.<br />
}}<br />
'''גורדון קיד טיל''' (ב[[אנגלית]]: '''Gordon Kidd Teal''';{{כ}} [[10 בינואר]] [[1907]] – [[7 בינואר]] [[2003]]) היה [[כימיה פיזיקלית|כימאי-פיזיקלי]] [[אמריקאי]] שהתפרסם בזכות יישום {{קישור שפה||Czochralski method|שיטת צ'וחרלסקי}} לייצור [[חד-גביש]]ים טהורים של [[גרמניום]] ו[[צורן|סיליקון]], והדגמת ה[[טרנזיסטור]] מבוסס הסיליקון הראשון (ב-1954).<ref name=":0">{{קישור כללי|כתובת=https://www.pbs.org/transistor/album1/addlbios/teal.html|כותרת=Gordon Teal|אתר=PBS Online|תאריך=1999}}</ref><br />
<br />
== ראשית חייו ==<br />
גורדון טיל נולד וגדל ב[[דאלאס]], שם סיים את לימודי בית הספר התיכון כמצטיין השנתי.<ref name=":1">{{קישור כללי|כתובת=https://baylorarchives.cuadra.com/cgi-bin/starfetch.exe?jUvkVkAiK4cYEa5uw9skCicAqRuPTn2zSIe.56f5l9JF@W0iJiL3QdCcjompXFGP.JeBfrD7RRFBpcDCvzEAvRDjE6ZMYV.CIX53.7RJ31I/0000no.xml|הכותב=Baylor University|כותרת=Gordon Kidd Teal Papers|תאריך=August 27, 2013}}</ref> הוא קיבל תואר ראשון במתמטיקה וכימיה מ[[אוניברסיטת ביילור]], ו[[וייקו]], [[טקסס]] ב-1927, ותואר שני (1928) ושלישי (1931) בכימיה פיזיקלית מ[[אוניברסיטת בראון]].<ref name=":0" /><ref name=":1" /> בלימודי הדוקטורט חקר את התכונות הכימיות והחשמליות של ה[[יסוד כימי|יסוד]] [[גרמניום]],<ref name=":1" /> שנחשב, באותה תקופה לחומר חסר שימוש מעשי, דבר שהקסים את טיל, לטענתו.<ref name=":2">{{צ-מאמר|מחבר=Gordon K. Teal|שם=Single Crystals of Germanium and Silicon—Basic to the Transistor and Integrated Circuit|כתב עת=IEEE Trans Electron Devices|כרך=ED-23/7|שנת הוצאה=1976|עמ=623-639|קישור=https://ieeexplore.ieee.org/document/1478478}}</ref><br />
<br />
== עבודתו במעבדות בל ==<br />
לקראת סיום לימודיו לתואר דוקטור, ב-1930, הוזמן טיל לעבוד ב[[מעבדות בל]] ב[[מורי היל, ניו ג'רזי|מריי היל]], [[ניו ג'רזי]]. שם עבד בתחילה במחלקת המחקר ב[[כימיה]], וב-1933 עבר לעבוד במחלקה ל[[אלקטרואופטיקה]]. בתקופת [[מלחמת העולם השנייה]] התחיל את פעילות המחקר בגרמניום במעבדות בל. תחילה ב[[מיישר זרם|מיישרי זרם]], ואחר כך ב[[דיודה|דיודות]]. את ההתקנים הללו הוא מימש בשכבות דקות של גרמניום ש[[שיקוע|שיקע]] [[פירוליזה|פירוליטית]] מ{{קישור שפה|2=Digermane|3=דיגרמן}} (Ge<sub>2</sub>H<sub>6</sub>).<ref name=":2" /><br />
<br />
=== גידול גבישי גרמניום ===<br />
בדצמבר 1947 המציאו [[וולטר בראטיין]] ו[[ג'ון ברדין]], שני מדענים בצוותו של [[ויליאם שוקלי]] במעבדות בל, את ה[[טרנזיסטור]], שהיה מבוסס על גרמניום.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=-|שם=הטרנזיסטור|כתב עת=הגל - ביטאון אגודת חובבי הרדיו בישראל|כרך=גיליון 381|שנת הוצאה=אפריל 2008|עמ=38-41|קישור=https://web.archive.org/web/20240827082443/https://www.iarc.org/~4z1pf/hagal/2008-04.pdf}}</ref> טיל הבין שהטרנזיסטור יפעל טוב יותר אם יושתת על גרמניום [[חד-גביש]]י, ולא על חומר המכיל {{קישור שפה|2=Grain boundary|3=גבולות גרעין}}, כמו הגרמניום ה[[רב-גביש]]י בו השתמשו ברדין ובראטיין.<ref name=":2" /> אך לא הצליח לשכנע בזאת את שוקלי.<ref name=":3">{{צ-מאמר|מחבר=M. Riordan, L. Hoddeson, and C. Herring|שם=The invention of the transistor|כתב עת=Reviews of Modern Physics|כרך=71/2|שנת הוצאה=1999|עמ=S336-S345|קישור=https://ieeexplore.ieee.org/document/658752}}</ref><br />
<br />
ב-29 בספטמבר 1948, בעת שיצא מהעבודה, פגש טיל בג'ון ליטל, מהנדס מכונות שעבד אף הוא במעבדות בל, הן במורי היל והן ב[[ניו יורק]]. בשיחה שהתפתחה ביניהם הזכיר ליטל שהוא היה מעוניין במוט דק של גרמניום. טיל השיב לו שהוא יוכל להכין לו מוט כזה על ידי משיכת המוצק מאמבט של גרמניום נוזלי, ושהוא יהיה אפילו חד גבישי. יומיים אחר כך כבר הקימו השניים, במעבדתו של ליטל בניו יורק, מתקן משיכה כזה, וטיל משך בו את מטיל הגרמניום הראשון.<ref name=":2" /> היה זה היישום הראשון לגידול גביש של מוליך למחצה ב{{קישור שפה|2=Czochralski method|3=שיטת צ'וֹחְרַלְסְקִי}} (הקרויה על שם ממציאה, {{קישור שפה|2=Jan Czochralski|3=יאן צ'וֹחְרַלְסְקִי}}). בשיטה זו מביאים גביש קטן (המכונה "זרע") של גרמניום למגע עם פני השטח של מאגר של גרמניום נוזלי בטמפרטורה קרובה ל[[נקודת היתוך|נקודת ההיתוך]] שלו (938.2 מ"צ). במהלך משיכת הזרע כלפי מעלה קופא נפח קטן של גרמניום על חלקו התחתון של הזרע. עם המשך הרמת הזרע נמשך מתחתיו מוט דק של גרמניום מוצק חד-גבישי, שכיוונו הגבישי נקבע על ידי הכיוון הגבישי של הזרע. ה[[קוטר]] של מוטות (למעשה חוטי) הגרמניום הראשונים שמשך טיל השתנה ממקום למקום, והיה מסדר גודל של מילימטר, אבל בתוכם לא היו {{קישור שפה|2=Grain boundary|3=גבולות גרעין}}. בהתאם, נמדד בהם {{קישור שפה|2=Carrier lifetime|3=זמן חיים}} של [[נושא מטען|נושאי מטען]] מיעוט גבוה פי 20–100 מאשר בגרמניום רב-גבישי.<ref name=":2" /><br />
<br />
במהלך 1949 עבד טיל בשתי משמרות. בראשונה, הרשמית, עבד על [[סיליקון קרביד|סילקון קרביד]] עבור האזניות שפיתחו אז במעבדות בל. בתום יום העבודה הרגיל הוא ירד למעבדות ה[[מטלורגיה]] של החברה, והמשיך בפיתוח הגידול של גבישי גרמניום בשיטת צ'וחרלסקי. ב-2 או 3 לפנות בוקר היה מסיים את ניסוייו, מפרק את הציוד, ומאחסנו בארון עד לערב שלמחרת. את הגבישים שמשך כך, ושאת איכותם שיפר מניסוי לניסוי, הוא סיפק לקבוצות מחקר שונות בחברה, שעבדו על פיתוח הטרנזיסטור. בסופו של דבר הוא זכה למעבדה משלו, בה העמיד, ביחד עם עוזרו ארני בילר (Ernie Buehler), סדרה של מושכני צוח'רלסקי לגידול גבישי גרמניום וסיליקון. אפילו שוקלי, שבא לביקור במעבדתו, ציין שיש לגבישים הללו חשיבות מעשית. עד סוף 1949, השתמשו החוקרים במעבדות בל רק בגבישי גרמניום שגודלו על ידי טיל.<ref name=":2" /> לאחר שיפורים של השיטה הצליחו טיל וליטל, ב-1950, למשוך גבישי גרמניום באורך של כ-200 מ"מ ובקוטר שהתקרב ל-20 מ"מ.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=G. K. Teal and J.B. Little|שם=Growth of Germanium Single Crystals|כתב עת=Physical Review|כרך=Vol. 78/5|סדרה=(Minutes of the Meeting of the American Physical Society at Oak Ridge, March 16-18, 1950)|שנת הוצאה=1950|עמ=647|קישור=https://journals.aps.org/pr/pdf/10.1103/PhysRev.78.637}}</ref><br />
<br />
=== גידול צמתי p-n ===<br />
באמצע 1949, כשנה לאחר ששוקלי הגיש פטנט על [[טרנזיסטור ביפולרי|טרנזיסטור הצומת הביפולרי]],<ref>{{קישור כללי|כתובת=https://patents.google.com/patent/US2569347A/en|הכותב=W. Shockley|כותרת=US Patent US2569347A "Circuit element utilizing semiconductive material"|אתר=Google Patents|תאריך=June 26, 1948}}</ref> הציע טיל למורגן ספארקס (Morgan Sparks), שעבד בקבוצתו של שוקלי, שישתפו פעולה בגידול מטילי גרמניום עם [[צומת PN|צומת p-n]] פנימי. בתוך כמה חודשים הם הצליחו, ביחד עם ג'ון ליטל (John Little), במשימה: הם משכו את הגביש מגרמניום מותך שהכיל כמות זעירה של [[יסוד כימי|יסוד]] מ{{קישור שפה|2=Pnictogen|3=טור V}} של [[הטבלה המחזורית]] (כנראה [[ארסן]]), ולכן נוצר מטיל גרמניום [[מוליך למחצה מאולח|מסומם סוג n]]. לאחר שמשכו אורך מסוים של גביש, הם הוסיפו לנוזל כמות קטנה של יסוד מ{{קישור שפה|2=Boron group|3=טור III}} (כנראה [[גליום]]), כך שריכוזו בתמיסה היה גבוה מריכוז הארסן בה. חלק הגביש שנמשך מרגע זה היה מסומם סוג p. כך נוצר צומת p-n במטיל בניצב לכיוון המשיכה שלו.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=G. K. Teal, M. Sparks, and E. Buehler|שם=Growth of Germanium Single Crystals Containing 𝑝−𝑛 Junctions|כתב עת=Physical Review|כרך=81|שנת הוצאה=1951|עמ=637|קישור=https://journals.aps.org/pr/abstract/10.1103/PhysRev.81.637}}</ref> מגבישים שהכינו כך הם יצרו את טרנזיסטור הצומת הראשון.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=W. Shockley, M. Sparks, and G. K. Teal|שם=𝑝−𝑛 Junction Transistors|כתב עת=Physical Review|כרך=83|שנת הוצאה=1951|עמ=151|קישור=https://journals.aps.org/pr/abstract/10.1103/PhysRev.83.151}}</ref><br />
<br />
== עבודתו בטקסס אינסטרומנטס ==<br />
בסוף 1952 עזב טיל את מעבדות בל וחזר לעיר הולדתו דאלאס. הוא נענה למודעה של חברת [[טקסס אינסטרומנטס]] (Texas Instruments, TI) שפורסמה ב[[ניו יורק טיימס]]. החברה רכשה באותה שנה רישיון לייצור טרנזיסטורי גרמניום מ-{{קישור שפה|2=Western Electric|3=Western Electric}}, זרוע הייצור של [[AT&T]], וחיפשה מנהל מחקר. ב-1 בינואר 1953 התחיל טיל את עבודתו ב-TI כעוזר סגן נשיא, תוך שהוא מביא איתו את כל המומחיות שלו בגידול גבישים מוליכים למחצה.<ref name=":1" /> תפקידו היה להקים צוות מחקר, ולבסס בו אווירה של חדשנות, כדי לשמור על TI בחזית של תעשיית המוליכים למחצה החדשה, והמתרחבת במהירות. כך ייסד את "מעבדת המחקר המרכזית" של החברה (TI's Central research Labs, CRL). זמן קצר לאחר הגעתו ל-TI, הוא הקים תוכנית מחקר ופיתוח לגידול גבישי סיליקון, ולמימוש של התקנים אלקטרוניים המבוססים עליו.<ref name=":2" /><br />
<br />
=== טרנזיסטר הסיליקון הראשון ===<br />
באפריל 1954 הצליחה "מעבדת המחקר המרכזית" של TI, בניהולו של גורדון טיל, ליצר את טרנזיסטור הסיליקון הראשון, ובחנה אותו בהצלחה ב-14 באפריל 1954.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=M. Riordan|שם=The Lost History of the Transistor|כתב עת=IEEE spectrum|כרך=41/5|שנת הוצאה=2004|עמ=45-49|קישור=https://spectrum.ieee.org/the-lost-history-of-the-transistor}}</ref> את העבודה הציג טיל לראשונה ב-10 במאי 1954, ובצורה מאוד תיאטרלית, בכנס הלאומי של {{קישור שפה|2=Institute of Radio Engineers|3=מכון מהנדסי האלקטרוניקה|4=מכון מהנדסי האלקטרוניקה (IRE)}} על אלקטרוניקה מוטסת שהתקיים ב[[דייטון]]: במהלך מושב הבוקר ציינו כל הדוברים, מחברות גדולות ומכובדות, עד כמה קשה ליצר טרנזיסטורים בסיליקון, וצפו שיהיה צורך להמתין עוד מספר שנים לפני שאפשר יהיה ליצרם. עד אז, הם הציעו לתעשייה, להסתפק בכאלו המבוססים על גרמניום.<ref name=":2" /> אחר הצהרים, במהלך הרצאתו של טיל, שנקראה "כמה התפתחויות אחרונות בחומרים והתקנים של סיליקון וגרמניום",<ref>{{צ-מאמר|מחבר=G. Teal|שם=Some recent developments in silicon and germanium materials and devices|כתב עת=presented National IRE Conference, Dayton, OH, May 10,1954}}</ref> הכניס לאולם שותפו, וויליס אדוקס {{אנ|Willis Adcock}}, שהיה זה שפיתח תחת טיל את טרנזיסטור הסיליקון ב-TI, [[פטיפון]], והשמיע את הלהיט “Summit Ridge Drive” של [[ארטי שו]] ולהקתו.<ref name=":3" /> לפטיפון היה מחובר התקן דמוי משוט ועליו רכיבים אלקטרוניים, שטיל הכריז עליו כ[[מגבר]] מבוסס גרמניום. בשלב זה טבל וויליס את הכרטיס באמבט של שמן חם, המנגינה טבעה בתוך רעש סטטי, תופעה שלא הפתיעה כלל את הקהל. האי-עמידות של התקני גרמנים בחימום הייתה ידועה לכל הנוכחים. אבל אז החליפו טיל ואדוקס את ההתקן באחר, והתחילו את ההדגמה מחדש. הפעם המוזיקה לא הופרעה כלל כשהכרטיס נטבל באמבט השמן החם. אז הכריז טיל שההתקן השני הכיל מגבר שמבוסס על טרנזיסטור סיליקון.<ref name=":3" /> אחד הנוכחים באולם ההרצאות שאל את טיל אם הם מייצרים כבר ב-TI טרנזיסטורי סיליקון כאלו. תשובתו של טיל הייתה: "במקרה יש לי כאן בכיס המקטורן כמה טרנזיסטורים כאלו", והוציא אותם מכיסו. משתתף אחר נשמע צועק לתוך הטלפון שמחוץ לאולם: "יש להם טרנזיסטורים של סיליקון בטקסס".<ref name=":3" /><br />
<br />
== המשך חייו ==<br />
<br />
=== המנהל הראשון של המכון לחקר חומרים ב-NBS ===<br />
בשנת 1965 התמנה טיל, שלקח חופשה מ-TI ([[טקסס אינסטרומנטס]]), למנהל הראשון של המכון לחקר חומרים בלשכת התקנים הלאומית (NBS; מ-1988 נקראת [[המכון הלאומי לתקנים וטכנולוגיה]], NIST) ב[[וושינגטון הבירה]]. לאחר כהונה בת שנתיים, חזר ל-TI ונשאר בחברה עד לפרישתו לגמלאות ב-1972.<ref name=":1" /><br />
<br />
=== גמלאי ===<br />
לאחר פרישתו מ-TI, המשיך טיל לעבוד כיועץ עבורם ועבור [[משרד ההגנה האמריקאי]]. כמו כן המשיך להיות חבר פעיל בארגונים מדעיים לאומיים רבים.<ref name=":1" /><br />
<br />
=== חיים אישיים ===<br />
טיל נישא ללידיה לואיז סמית' ב-7 במרץ 1931. לזוג נולדו שלושה בנים. הוא נפטר ב-7 בינואר 2003. בן 96 היה במותו.<ref name=":1" /><br />
<br />
== הוקרה ופרסים ==<br />
<br />
* [[מדליית הכבוד של ה-IEEE]] לשנת 1968.<ref>{{קישור כללי|כתובת=https://corporate-awards.ieee.org/recipient/gordon-k-teal/|כותרת=Gordon K. Teal|אתר=באתר IEEE Awards|שפה=|תאריך_וידוא=2026-01-09}}</ref><br />
<br />
== הערות שוליים ==<br />
{{הערות שוליים}}<br />
{{ערך טוב}}<br />
{{בקרת זהויות}}<br />
{{מיון רגיל:טיל, גורדון}}<br />
[[קטגוריה:אמריקאים ילידי טקסס]]<br />
[[קטגוריה:דאלאס: אישים]]<br />
[[קטגוריה:כימאים אמריקאים]]<br />
[[קטגוריה:כימאים פיזיקליים]]<br />
[[קטגוריה:אמריקאים שנפטרו ב-2003]]<br />
[[קטגוריה:אמריקאים שנולדו ב-1907]]</div>imported>EWEp